Highlights auf internationaler Bühne

ICSCRM 2017 - Maximilian Rühl

Die Doktoranden Maximilian Rühl und Martin Hauck haben mit Ihren Forschungsergebnissen auf der internationalen Konferenz für Siliziumkarbid (ICSCRM 2017) in Washington D.C. das Fachpublikum bestehend aus 630 Wissenschaftlern aus Universitäten, Forschungseinrichtungen und Industrie beeindruckt.

Maximilian Rühl erhielt für seinen Beitrag bereits im Vorfeld von den Organisatoren einen der begehrten eingeladenen Vorträge. In einem 30 minütigen Vortrag präsentierte er seine Ergebnisse zur Erzeugung von Farbzentren in Siliziumkarbid durch Protonenbestrahlung, die mit großem Interesse wahrgenommen wurden.

Martin Haucks neu entwickelte Methode zur verbesserten Auswertung von Strom-Spannungs-Kennlinien von Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren (sog. MOSFETs) wurde in der Abschlussveranstaltung sogar als Konferenz-Highlight genannt.