Ionenimplanter
Der Lehrstuhl für Angewandte Physik betreibt zwei Ionenimplanter für Energien von 10 keV bis 350 keV sowie 450 keV bis 2 MeV. Durch den Einsatz von unterschiedlichen Quellen (Penningquelle, Sputterquelle, Ofenquelle) kann ein breites Spektrum an Elementen des Periodensystems implantiert werden. Ionenimplantation wird bei uns zur Dotierung von Halbleitern sowie zur gezielten Erzeugung von Kristallschäden in Materialien eingesetzt. Die Proben können während der Implantation auf Temperaturen von bis zu 900°C gebracht werden.
Ein spezieller Kryostat (Temperaturbereich: ca. 4 K bis Raumtemperatur) erlaubt weiterhin elektrische Messungen in-situ während der Implantation.
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