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Friedrich-Alexander-Universität Lehrstuhl für Angewandte Physik
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Ionenimplanter

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Ionenimplanter

2 MeV Ionenimplanter350 kV IonenimplanterDer Lehrstuhl für Angewandte Physik betreibt zwei Ionenimplanter für Energien von 10 keV bis 350 keV sowie 450 keV bis 2 MeV. Durch den Einsatz von unterschiedlichen Quellen (Penningquelle, Sputterquelle, Ofenquelle) kann ein breites Spektrum an Elementen des Periodensystems implantiert werden. Ionenimplantation wird bei uns zur Dotierung von Halbleitern sowie zur gezielten Erzeugung von Kristallschäden in Materialien eingesetzt. Die Proben können während der Implantation auf Temperaturen von bis zu 900°C gebracht werden.

Ein spezieller Kryostat (Temperaturbereich: ca. 4 K bis Raumtemperatur) erlaubt weiterhin elektrische Messungen in-situ während der Implantation.

Kontakt und weitere Informationen:

Rösch, Willi

Willi Rösch

Raum: Raum U1.302
  • Telefon: +49 9131 85-28420
  • E-Mail: willi.roesch@fau.de
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg

Staudtstr. 7 / Bau A3
91058 Erlangen
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