ForschungSymposium Siliziumkarbid als quanten-klassische Plattform – 75-jähriges Jubiläum des Lehrstuhls für Angewandte Physik
Siliziumkarbid (SiC) hat sich in den letzten Jahren zu einem leistungsfähigen Halbleiter entwickelt. Dies wird ermöglicht durch die Verfügbarkeit von exzellentem monokristallinen Wafermaterial und einer sich ständig verbessernden Prozesstechnologie sowie dem Verständnis der grundlegenden Material- und Bauelementphysik. SiC, epitaktisches Graphen auf SiC und SiC-Punktdefekte haben jedoch noch viel mehr zu bieten: Aufgrund der konkurrenzlosen Materialeigenschaften […]Siliziumkarbid (SiC) hat sich in den letzten Jahren zu einem leistungsfähigen Halbleiter entwickelt. Dies wird ermöglicht durch die Verfügbarkeit von exzellentem monokristallinen Wafermaterial und einer sich ständig verbessernden Prozesstechnologie sowie dem Verständnis der grundlegenden Material- und Bauelementphysik. SiC, epitaktisches Graphen auf SiC und SiC-Punktdefekte haben jedoch noch viel mehr zu bieten: Aufgrund der konkurrenzlosen Materialeigenschaften […]
