Siliziumkarbid und epitaktisches Graphen: die Licht/Materie Schnittstelle
Untersuchungen von Farbzentren im elektrischen Feld
Projekte
Einzelne Farbzentren in Siliziumkarbid: elektrooptischer Zugang mittels epitaktischem Graphen
Unser Vorhaben ist die gleichzeitige elektrische und optische Charakterisierung von Farbzentren (insbesondere intrinsischer Defekte) in Siliziumkarbid (SiC). Für deren Herstellung wird die Methode der Ionenimplantation in Kombination mit optimierten Ausheilprozessen entwickelt. Sie erlaubt kleinste Störstellenkonzentrationen nahe der SiC (0001) Oberfläche, so dass der Zugriff auf einzelne Defekte möglich wird. Diese (0001) Oberfläche wird mit epitaktisch aufg…
Punktdefekte in Silizium-Karbid: Auf dem Weg zur Kopplung von Licht, Spin und mechanischen Freiheitsgraden in einer Plattform (B03)
Einzelne Punktdefekte in Festkörpern stellen stabile Quantensysteme dar, die oft kohärente Elektronenspins aufweisen und einzelne Photonen emittieren. Punktdefekte in Silizium-Karbid kombinieren diese Vorteile mit einer technologisch ausgereiften Halbleiterplattform. Trotzdem führt die Festkörperumgebung zu einer signifikanten Streuung der Übergangsfrequenzen individueller Defekte und verhindert meist die Beobachtung kooperativer Effekte. Wir arbeiten an dieser Herausforderung, sowohl experimentell als …
QuMeCo: Quantum Measurement and Control for the enablement of quantum computing and quantum sensing
Beteiligte Wissenschaftler
Publikationen
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Light-field–driven electronics in the mid-infrared regime: Schottky rectification
In: Science Advances 8 (2022), Art.Nr.: eabj5014
ISSN: 2375-2548
DOI: 10.1126/sciadv.abj5014
URL: https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abj5014
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Light-field control of real and virtual charge carriers
In: Nature 605 (2022), S. 251–255
ISSN: 0028-0836
DOI: 10.1038/s41586-022-04565-9
URL: https://www.nature.com/articles/s41586-022-04565-9
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Stark Tuning of the Silicon Vacancy in Silicon Carbide
In: Nano Letters 20 (2020), S. 658-663
ISSN: 1530-6984
DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b04419
URL: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b04419
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Attosecond-fast internal photoemission
In: Nature Photonics 14 (2020), S. 219–222
ISSN: 1749-4885
DOI: 10.1038/s41566-019-0580-6
URL: https://arxiv.org/abs/2001.02989
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An efficient Terahertz rectifier on the graphene/SiC materials platform
In: Scientific Reports 9 (2019), Art.Nr.: 11205
ISSN: 2045-2322
DOI: 10.1038/s41598-019-47606-6
URL: https://www.nature.com/articles/s41598-019-47606-6
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